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  Transistor de potencia  (20.711 ofertas entre 5.819.791 artículos)

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Módulo IGBT, FF900R12IP4BOSA2, 900 A, 1200 V 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 900 MHZ Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 5,1 kW
Infineon
FF900R12IP4BOSA2
a partir de € 597,822*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMTH48M3SFVW-7, VDSS 40 V, ID 52,4 A, PowerDI3333-8 de 8 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte...
Diodes
DMTH48M3SFVW-7
a partir de € 0,205*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FP10R12W1T7B11BOMA1, N-Canal, 10 A, 1.200 V, EASY1B 7 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 10 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = EASY1B Tipo de ...
Infineon
FP10R12W1T7B11BOMA1
a partir de € 30,245*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMTH6005LK3-13 MOSFET, CANAL N, 60V, 90A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0045 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Diodes
DMTH6005LK3-13
a partir de € 0,557*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FP30R06W1E3BOMA1, 37 A, 600 V 7 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 37 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 115 W
Infineon
FP30R06W1E3BOMA1
a partir de € 762,048*
por 24 unidades
 
 envase
DIODES INC. DMTH6004SK3Q-13 MOSFET, CANAL N, 60V, 100A, TO-252 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.003 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Co...
Diodes
DMTH6004SK3Q-13
a partir de € 0,682*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FF450R12ME7B11BPSA1, 450 A, 1.200 V, AG-ECONOD 2 Serie (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 450 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 2 Tipo de Encapsulado = AG-ECONOD Tipo de Montaje...
Infineon
FF450R12ME7B11BPSA1
€ 1.520,49*
por 10 unidades
 
 envase
DIODES INC. DMTH6009LK3-13 MOSFET, CANAL N, 60V, 59A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0083 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Diodes
DMTH6009LK3-13
a partir de € 0,608*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FP100R12KT4BOSA1, 100 A, 1200 V 7 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 515 W
Infineon
FP100R12KT4BOSA1
a partir de € 173,963*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMTH6009LK3Q-13 MOSFET, CANAL N, 60V, 59A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0083 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Diodes
DMTH6009LK3Q-13
a partir de € 0,578*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FP15R12W1T4BOMA1, 28 A, 1200 V 7 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 28 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 130 W
Infineon
FP15R12W1T4BOMA1
a partir de € 37,868*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMTH6010SK3-13 MOSFET, CANAL N, 60V, 70A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0054 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Diodes
DMTH6010SK3-13
a partir de € 0,539*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FP35R12W2T4PB11BPSA1, N-Canal, 35 A, 1.200 V, EASY2B 7 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 35 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = EASY2B Tipo de ...
Infineon
FP35R12W2T4PB11BPSA1
€ 747,774*
por 18 unidades
 
 envase
DIODES INC. DMTH6010LPD-13 MOSFETX2 CANAL N/60V/47.6A/POWERDI 5060 (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 47.6 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión...
Diodes
DMTH6010LPD-13
a partir de € 0,679*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FF600R12ME4EB11BOSA1, N-Canal, 600 A, 1.200 V, ECONODUAL, 13-Pines 2 Emisor común (1 oferta) 
El módulo IGBT Infineon EconoDual de emisor común con tecnología TRENCHSTOP IGBT4 que tiene una tensión de emisor de colector de 1.200 V y una corriente de colector de 600 A. Se utiliza en control ...
Infineon
FF600R12ME4EB11BOSA1
€ 1.134,36*
por 6 unidades
 
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