Categorías
Cuenta
Iniciar sesión/Registrarse
Cesta
 
 
 >  >  >  >  > Transistor de potencia

  Transistores de potencia  (20.637 ofertas entre 5.800.237 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "Transistores de potencia" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"Transistor de potencia"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Realizar un pedido
atrás
MOSFET IXYS IXFR48N60Q3, VDSS 600 V, ID 32 A, ISOPLUS247 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3. Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja desca...
IXYS
IXFR48N60Q3
a partir de € 20,94*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NTHL080N120SC1A MOSFET, CANAL N, 1.2KV, 31A, TO-247 (3 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.08 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Configur...
onsemi
NTHL080N120SC1A
a partir de € 6,75*
por unidad
 
 unidad
MOSFET IXYS IXFX78N50P3, VDSS 500 V, ID 78 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™. Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
IXYS
IXFX78N50P3
a partir de € 8,46*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NTMFS5H400NLT1G MOSFET, CANAL N, 40 V, 330 A, DFN-5 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 600 µohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje ...
onsemi
NTMFS5H400NLT1G
a partir de € 1,28*
por unidad
 
 unidad
MOSFET IXYS IXFN132N50P3, VDSS 500 V, ID 112 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™. Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
IXYS
IXFN132N50P3
a partir de € 29,215*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NTHL110N65S3F MOSFET, CANAL N, 650V, 30A, TO-247 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.098 ohm Gama de Producto SUPERFET III FRFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaj...
onsemi
NTHL110N65S3F
a partir de € 3,209*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Microchip LND150N3-G, VDSS 500 V, ID 30 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex. La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta...
Microchip Technology
LND150N3-G
a partir de € 9,36*
por 20 unidades
 
 envase
ONSEMI NTMFS6H818NT1G MOSFET, CANAL N, 80V, 123A, DFN (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0031 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaj...
onsemi
NTMFS6H818NT1G
a partir de € 0,702*
por unidad
 
 unidad
MOSFET IXYS IXFT60N65X2HV, VDSS 650 V, ID 60 A, TO-268HV de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
RDS (ON) y Qg bajas Diodo de cuerpo rápido Resistencia a dv/dt Avalancha nominal Baja inductancia de encapsulado Encapsulados estándar internacionales Fuentes de alimentación de modo resonante Reac...
IXYS
IXFT60N65X2HV
a partir de € 7,67*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NTHL190N65S3HF MOSFET, CANAL N, 650V, 20A, TO-247 (3 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.165 ohm Gama de Producto SUPERFET III FRFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pine...
onsemi
NTHL190N65S3HF
a partir de € 2,34*
por unidad
 
 unidad
MOSFET IXYS IXFX98N50P3, VDSS 500 V, ID 98 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple (5 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™. Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
IXYS
IXFX98N50P3
a partir de € 10,78*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NTMS10P02R2G MOSFET, CANAL P, -20 V, -8.8 A, SOIC-8 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.012 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
onsemi
NTMS10P02R2G
a partir de € 0,627*
por unidad
 
 unidad
MOSFET IXYS IXFN140N30P, VDSS 300 V, ID 115 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
IXYS
IXFN140N30P
€ 302,22*
por 10 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NTJD4158CT1G, VDSS 20 V, 30 V, ID 250 mA, 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado (2 ofertas) 
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor. El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de...
onsemi
NTJD4158CT1G
a partir de € 0,479*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Microchip MIC94052YC6-TR, VDSS 6 V, ID 2 A, SC-70-6L de 6 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Los MIC94052/94053 son MOSFET de canal P de baja resistencia de conexión y de 84 mW (máx.). Están alojados en un encapsulado Teeny™ SC-70-6. Los MIC94052/3 se han diseñado para aplicaciones de conm...
Microchip Technology
MIC94052YC6-TR
a partir de € 12,40*
por 20 unidades
 
 envase
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   331   332   333   334   335   336   337   338   339   340   341   ..   1376   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.