Categorías
España
Español
Cuenta
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > Transistor de potencia

  Transistores de potencia  (20.637 ofertas entre 5.792.754 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "Transistores de potencia" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"Transistor de potencia"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
IGBT, BIDW20N60T, 20 A, 600 V, TO-247 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 20 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 192 W Tipo de Encapsulado = TO-247
Bourns
BIDW20N60T
€ 958,20*
por 600 unidades
 
 envase
Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 22A (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 1 Potencia: 5,5kW Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 12NAB126V20 25231200
a partir de € 80,08*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. BSS138K-7 MOSFET, CANAL N, 50V, 0.31A, SOT-23 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.3 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corr...
Diodes
BSS138K-7
a partir de € 0,139*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, FF450R33T3E3BPSA1, N-Canal, 450 A, 3300 V., XHP, 3-Pines 2 (1 oferta) 
El módulo IGBT doble Infineon FF450R33T3E3 tiene alta estabilidad dc y alta capacidad de cortocircuito con alta fiabilidad y larga vida útil. Tiene baja inductancia y reduce el coste del sistema.Ba...
Infineon
FF450R33T3E3BPSA1
€ 984,169*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Psal: 630mW (1 oferta) 
Fabricante: TOSHIBA Carcasa: SOT89 Frecuencia: 520MHz Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 1A Tipo de transistor: N-MOSFET Amplificación: 14,9dB Potencia de salida: 630mW Poder disipa...
Toshiba
2SK3475(TE12L,F)
a partir de € 1,41*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FF600R12IP4BOSA1, 600 A, 1.200 V, AG-PRIME2 2 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 600 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = AG-PRIME2 Tip...
Infineon
FF600R12IP4BOSA1
a partir de € 304,13*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 2 Potencia: 15kW Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de cole...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 25AC12T4V1 25231550
a partir de € 137,11*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. BSS84WQ-7-F MOSFET, CANAL P, 50V, 0.164A, SOT-323 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 3.1 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de...
Diodes
BSS84WQ-7-F
a partir de € 0,309*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 2 Potencia: 11kW Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de cole...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24AC126V1 25230080
a partir de € 140,98*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. BSS138-13-F MOSFET, CANAL N, 50V, 0.2A, SOT-23 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.4 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corr...
Diodes
BSS138-13-F
a partir de € 0,1995*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, BIDW50N65T, 50 A, 650 V, TO-247 1 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 416 W Tipo de Encapsulado = TO-247
Bourns
BIDW50N65T
a partir de € 2,38*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 55A (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 3 Potencia: 15kW Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector:...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 35NAB126V1 25230110
a partir de € 257,06*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DCX124EU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 22 kohm Resistencia Base-Emisor R2 22 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor M...
Diodes
DCX124EU-7-F
a partir de € 0,237*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, FF50R12RT4HOSA1, 50 A, 1200 V, AG-34MM 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 285 W Tipo de Encapsulado = AG-34MM Tipo de...
Infineon
FF50R12RT4HOSA1
a partir de € 73,91*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Psal: 300W (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Carcasa: M244 Frecuencia: 175MHz Tensión drenaje-fuente: 125V Corriente del drenaje: 40A Tipo de transistor: N-MOSFET Amplificación: 16dB Potencia de salida: 300W Pod...
ST Microelectronics
SD2932W
a partir de € 168,11*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   701   702   703   704   705   706   707   708   709   710   711   ..   1376   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.