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  Transistores de potencia  (20.637 ofertas entre 5.793.272 artículos)

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DIODES INC. BSS138DWQ-13 MOSFET, CANAL N, 50V, 0.2A, SOT-363 (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 50 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 200 mA Gama de Producto - Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 50 V Corriente de Drenaje Conti...
Diodes
BSS138DWQ-13
a partir de € 0,47*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, FGAF40S65AQ, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3PF, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimum performance for converter PFC stage of consummer and industrial appl...
onsemi
FGAF40S65AQ
€ 773,28*
por 360 unidades
 
 envase
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 3 Potencia: 30kW Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de cole...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 39AC126V2 25230550
a partir de € 365,76*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DCX143TU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 4.7 kohm Resistencia Base-Emisor R2 - Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaj...
Diodes
DCX143TU-7-F
a partir de € 0,1755*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, FF600R12IE4BOSA1, 600 A, 1.200 V, AG-PRIME2 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 600 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 2 Tipo de Encapsulado = AG-PRIME2 Tipo de Montaj...
Infineon
FF600R12IE4BOSA1
€ 1.240,38*
por 3 unidades
 
 envase
Módulo: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A; P: 7,5kW (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 1 Potencia: 7,5kW Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de col...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 13AC126V1 25230050
a partir de € 91,10*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. BSS138K-13 MOSFET, CANAL N, 50V, 0.31A, SOT-23 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.3 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corr...
Diodes
BSS138K-13
a partir de € 0,212*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, F3L400R10W3S7FB11BPSA1, N-Canal, 220 A, 950 V, Easypack, 22-Pines 6 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 220 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 950 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Easypack Tipo de...
Infineon
F3L400R10W3S7FB11BPSA1
a partir de € 182,537*
por unidad
 
 unidad
Transistor: NPN; bipolar; RF; 60V; 2A; 10W; Psal: 4W (1 oferta) 
Attention! This product is sold up to the quantity available in stock. In case of larger orders, the amount will be replaced by the available quantity. Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Frec...
NTE Electronics
NTE224
a partir de € 0,204*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DCX144EU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 47 kohm Resistencia Base-Emisor R2 47 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor M...
Diodes
DCX144EU-7-F
a partir de € 0,289*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, FF600R12IP4BOSA1, 600 A, 1.200 V, AG-PRIME2 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 600 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = AG-PRIME2 Tip...
Infineon
FF600R12IP4BOSA1
a partir de € 499,396*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 2 Potencia: 11kW Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de cole...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24AC12T4V1 25231460
a partir de € 131,47*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. BSS84Q-7-F MOSFET, CANAL P, 50V, 0.13A, 150°C, 0.3W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 10 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de ...
Diodes
BSS84Q-7-F
a partir de € 0,0536*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH4L40T120LQD, 80 A, 1200 V, TO-247 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247
onsemi
FGH4L40T120LQD
a partir de € 6,228*
por unidad
 
 unidad
Transistor: NPN; bipolar; RF; 17V; 1A; 10W; TO39; Psal: 4W (1 oferta) 
Attention! This product is sold up to the quantity available in stock. In case of larger orders, the amount will be replaced by the available quantity. Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Carc...
NTE Electronics
NTE488
a partir de € 10,05*
por unidad
 
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