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  Transistores de potencia  (20.637 ofertas entre 5.791.992 artículos)

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IGBT, FGH4L50T65SQD, 200 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Disipación de Potencia Máxima = 268 W Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
a partir de € 1.035,90*
por 450 unidades
 
 envase
DIODES INC. DDA123JU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 2.2 kohm Resistencia Base-Emisor R2 47 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor ...
Diodes
DDA123JU-7-F
a partir de € 0,203*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, FGHL50T65MQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 268 W Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
onsemi
FGHL50T65MQDTL4
a partir de € 4,624*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DDC143ZU-7-F, VDSS 50 V, ID 100 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Transistores digitales dobles de doble resistencia, Diodes Inc
Diodes
DDC143ZU-7-F
a partir de € 0,41*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, FGD3040G2-F085, N-Canal, 41 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple (1 oferta) 
AEC-Q101. Corrientes nominales aplicables cuando la temperatura de la conexión = +110 °C. IGBT de encendido para automoción, Fairchild Semiconductor. Estos dispositivos IGBT EcoSPARK están optimiza...
onsemi
FGD3040G2_F085
€ 2.375,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
DIODES INC. DDC113TU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 1 kohm Resistencia Base-Emisor R2 - Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje ...
Diodes
DDC113TU-7-F
a partir de € 0,272*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, FF900R12ME7B11BOSA1, N-Canal, 900 MHZ, 1.200 V, AG-ECONOD Emisor común (1 oferta) 
El módulo Infineon EconoDUAL™ 3 1200 V, 900 A doble TRENCHSTOP™ IGBT7 con diodo controlado por emisor 7, NTC y tecnología de contacto Pressfit. También disponible con material de interfaz térmica p...
Infineon
FF900R12ME7B11BOSA1
a partir de € 236,353*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH60T65SQD-F155, P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3-Pines 1 Simple (3 ofertas) 
Con la nueva tecnología Field Stop IGBT, la nueva serie de ON Semiconductor de IGBT Field Stop de 4. generación ofrece un rendimiento óptimo para aplicaciones como inversores solares, SAI, soldador...
onsemi
FGH60T65SQD-F155
a partir de € 2,42*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DDC114EU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (2 ofertas) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 10 kohm Resistencia Base-Emisor R2 10 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor M...
Diodes
DDC114EU-7-F
a partir de € 0,1235*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, FGHL50T65SQDT, N-Canal, 100 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30.0V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Canal = N...
onsemi
FGHL50T65SQDT
a partir de € 3,03*
por unidad
 
 unidades
IGBT, FGH4L50T65SQD, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
a partir de € 4,119*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DDC114YU-7-F TRANS, RF, 50V, SOT-363 (2 ofertas) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 10 kohm Resistencia Base-Emisor R2 47 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor M...
Diodes
DDC114YU-7-F
a partir de € 0,466*
por 20 unidades
 
 envase
IGBT, FGH4L40T120LQD, 80 A, 1200 V, TO-247 30 (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247
onsemi
FGH4L40T120LQD
a partir de € 4,67*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH75T65SQDNL4, P-Canal, 200 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = M...
onsemi
FGH75T65SQDNL4
a partir de € 5,06*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DDC124EU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 22 kohm Resistencia Base-Emisor R2 22 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor M...
Diodes
DDC124EU-7-F
a partir de € 0,237*
por 5 unidades
 
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