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  Transistores de potencia  (20.599 ofertas entre 5.758.240 artículos)

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IGBT, AIKW50N65RF5XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20.0V Disipación de Potencia Máxima = 250 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Con...
Infineon
AIKW50N65RF5XKSA1
€ 1.002,00*
por 240 unidades
 
 envase
Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 22A (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 1 Potencia: 5,5kW Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 12NAB126V1 25230020
a partir de € 33,28*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. BSS84Q-7-F MOSFET, CANAL P, 50V, 0.13A, 150°C, 0.3W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 10 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de ...
Diodes
BSS84Q-7-F
a partir de € 0,0553*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FF600R12KE4BOSA1, N-Canal, 600 A, 1.200 V, AG-62MM Emisor común (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 600 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 1,2 kW Tipo de Encapsulado = AG-62MM Tipo ...
Infineon
FF600R12KE4BOSA1
€ 1.191,79*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo: IGBT; diodo/transistor; puente trifásico IGBT; Ic: 118A (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 3 Potencia: 30kW Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector:...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 39AC126V20 25230940
a partir de € 401,55*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH75T65SHDTL4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 455 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de ...
onsemi
FGH75T65SHDTL4
a partir de € 2,556*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; diodo/transistor; puente unifase de diodo; Ic: 11A (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 0 Potencia: 1,5kW Tensión de retorno máx.: 0,6kV Estructura del semiconductor: diodo/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de colector...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 01NEC066V3 25232420
a partir de € 41,31*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. BSS84WQ-7-F MOSFET, CANAL P, 50V, 0.164A, SOT-323 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 3.1 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de...
Diodes
BSS84WQ-7-F
a partir de € 0,309*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, FF1800R17IP5BPSA1, N-Canal, 1,8 kA, 1700 V, AG-PRIME3+ Emisor común (1 oferta) 
El Infineon PrimePACK™3+ 1700 V, 1800 un módulo IGBT doble con tecnología de interconexión de conmutación suave TRENCHSTOP™ IGBT5 y .XT, diodo controlado por emisor 5 y NTC. También disponible con ...
Infineon
FF1800R17IP5BPSA1
€ 847,688*
por unidad
 
 unidad
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 2 Potencia: 11kW Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de cole...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24AC126V1 25230080
a partir de € 140,18*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DCX124EU-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 22 kohm Resistencia Base-Emisor R2 22 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor M...
Diodes
DCX124EU-7-F
a partir de € 0,237*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, AUIRG4BC30SSTRL, 34 A, 600 V, D2PAK 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 34 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 100 W Tipo de Encapsulado = D2PAK
Infineon
AUIRG4BC30SSTRL
€ 2.220,80*
por 800 unidades
 
 envase
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT (1 oferta) 
Fabricante: SEMIKRON DANFOSS Carcasa: MiniSKiiP® 3 Potencia: 22kW Tensión de retorno máx.: 1,2kV Estructura del semiconductor: transistor/transistor Tensión entrada - emisor: ±20V Corriente de cole...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 37AC12T4V1 25231480
a partir de € 205,57*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DCX124EK-7-F TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-26 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 22 kohm Resistencia Base-Emisor R2 22 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor M...
Diodes
DCX124EK-7-F
a partir de € 0,1895*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, FF900R12ME7B11BOSA1, N-Canal, 900 MHZ, 1.200 V, AG-ECONOD Emisor común (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 900 MHZ Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = AG-ECONOD Ti...
Infineon
FF900R12ME7B11BOSA1
€ 1.558,404*
por 6 unidades
 
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