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Imagen | | | | Realizar un pedido |
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ROHM Semiconductor EMH53T2R |
€ 0,046* por unidad |
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ROHM Semiconductor EMB53T2R |
a partir de € 0,064* por unidad |
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ROHM Semiconductor EMH52T2R |
a partir de € 0,20* por 5 unidades |
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ROHM Semiconductor DTD543XE3TL |
a partir de € 0,378* por 5 unidades |
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a partir de € 0,135* por unidad |
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ROHM Semiconductor EMD38T2R |
€ 600,00* por 8.000 unidades |
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Transistor digital, FDA38N30, TO-3P, 3 pines (2 ofertas) Tipo de Encapsulado = TO-3P Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Disipación de Potencia Máxima = 312 W Conteo de Pines = 3 Número de Elementos por Chip = 1 Temperatura Máxima de Funcionami... |
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a partir de € 1,39* por unidad |
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ROHM Semiconductor EMB11T2R |
a partir de € 0,046* por unidad |
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€ 424,00* por 800 unidades |
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ROHM Semiconductor EMD6T2R |
a partir de € 0,046* por unidad |
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Transistor digital, FDB38N30U, D2PAK, 2 + Tab pines (1 oferta) Tipo de Encapsulado = D2PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Disipación de Potencia Máxima = 313 W Conteo de Pines = 2 + Tab Número de Elementos por Chip = 1 Temperatura Máxima de Funcionamien... |
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€ 1.240,00* por 800 unidades |
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ROHM Semiconductor EMB53T2R |
a partir de € 0,20* por 5 unidades |
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a partir de € 0,433* por unidad |
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ROHM Semiconductor EMH51T2R |
a partir de € 0,2355* por 5 unidades |
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Transistor digital, FDC8601, TSOT-23, 6 pines (2 ofertas) This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.Max rDS(on) = 109 mΩat VGS = 10 V, ID = 2.7 A Max... |
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a partir de € 1.296,00* por 3.000 unidades |
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