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MOSFET Vishay SIHP8N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 8,7 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1657113
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHP8N50D-GE3
EAN/GTIN:
     5059040818590
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
8,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
500 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Serie:
D Series
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
850 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
3V
Disipación de Potencia Máxima:
156 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
10.51mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, mosfet de potencia, 1657113, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHP8N50DGE3
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