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MOSFET Vishay SQD50034E_GE3, VDSS 60 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1884914
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SQD50034E_GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V
Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 7,9 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima = 2.5V
Disipación de Potencia Máxima = 107 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento = +175 °Cmm
Estándar de automoción = AEC-Q101mm
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
7,9 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2.5V
Disipación de Potencia Máxima:
107 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
10.41mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1884914, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SQD50034E_GE3
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