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ONSEMI FDD86567-F085 MOSFET AEC-Q101 CANAL N 100A 60V TO-252


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N.º art.:
     6368-3003953
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDD86567-F085
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0026 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 100 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 227 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.9 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85413000
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, FDD86567-F085, 3003953, 300-3953
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