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MOSFET Vishay SQM40020E_GE3, VDSS 40 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1884920
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SQM40020E_GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Automotriz N-Canal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.MOSFET de potencia TrenchFET® Encapsulado con baja resistencia térmica
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
4 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2.5V
Disipación de Potencia Máxima:
150 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
10.41mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1884920, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SQM40020E_GE3
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