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MOSFET Vishay SQM40020EL_GE3, VDSS 40 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2006786
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SQM40020EL_GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V
Serie = AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0022 Ω, 0,0027 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 2.2V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,0022 Ω, 0,0027 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.2V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 2006786, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SQM40020EL_GE3
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