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| N.º art.:
3318E-2052469 N.º fabricante:
FCB125N65S3 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| El MOSFET de canal N de la serie SUPERFET III de on Semiconductor es una familia de MOSFET de súper unión (SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer una resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.La corriente nominal de drenaje continuo es 24A El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 125mohm Carga de puerta ultrabaja Baja energía almacenada en capacitancia de salida 100 % a prueba de avalancha El tipo de encapsulado es D2-PAK Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 24 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | D2PAK (TO-263) | Serie: | SUPERFET III | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 125 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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