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| N.º art.: 6368-3528440 N.º fabricante: FCB125N65S3 EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.105 ohm Gama de Producto SuperFET III Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 24 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 181 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Diodo SMD, Diodos SMD, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, diodo smd, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, FCB125N65S3, 3528440, 352-8440 |
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