N.º art.: 3318E-2105006
N.º fabricante: SiR882BDP-T1-RE3
EAN/GTIN: Sin datos
El MOSFET Vishay de canal N de 100 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8.MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo 100 % RG y prueba UIS
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
67,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
POWERPAK SO-8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,0069 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
1 → 2.3V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
2105006 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SiR882BDPT1RE3
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