N.º art.: 6368-3586065
N.º fabricante: SIR882BDP-T1-RE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0069 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 67.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 83.3 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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Transistor ,
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Discretos ,
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SIR882BDP-T1-RE3 ,
3586065 ,
358-6065
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