N.º art.: 3318E-2105010
N.º fabricante: SiSS30ADN-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
54,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
80 V
Tipo de Encapsulado:
POWERPAK 1212-8S
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,0074 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
2 → 3.5V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
2105010 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SiSS30ADNT1GE3
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