N.º art.: 6368-3517209
N.º fabricante: SISS30ADN-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0074 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 54.7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK 1212-8S Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80 V Disipación de Potencia 57 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
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SISS30ADN-T1-GE3 ,
3517209 ,
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