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| N.º art.: 3318E-2144380 N.º fabricante: IPD530N15N3GATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Está calificado según JEDEC para la aplicación de destinoNo contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 21 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 150 V | Tipo de Encapsulado: | DPAK (TO-252) | Serie: | OptiMOS™ 3 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.053 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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