N.º art.: 6368-2432730
N.º fabricante: IPD530N15N3GATMA1
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.044 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 21 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 150 V Disipación de Potencia 68 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
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Discretos ,
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Semiconductores ,
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Transistors ,
INFINEON ,
IPD530N15N3GATMA1 ,
2432730 ,
243-2730
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