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| N.º art.:
3318E-2216735 N.º fabricante:
NTMT110N65S3HF EAN/GTIN:
Sin datos |
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| El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta inferior. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.Carga de puerta ultrabaja Baja capacitancia de salida efectiva: 522 pF 100 % a prueba de avalancha Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 30 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | PQFN4 8 x 8 | Serie: | NTMT110N | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 4 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.11 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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