ONSEMI NTMT110N65S3HF MOSFET, CANAL N, 650V, 30A, PQFN

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.098 ohm Gama de Producto SUPERFET III FRFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 30 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PQFN Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 240 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)