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| N.º art.: 3318E-2291846 N.º fabricante: IPP120P04P4L03AKSA2 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | El MOSFET de nivel lógico de canal P de Infineon tiene las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores. Es 100 por ciento avalancha probada.Cumple con RoHS y cuenta con certificación AEC No necesita bomba de carga para accionamiento de lado alto Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | P | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 120 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 40 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220 | Serie: | IPP | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0034 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.2V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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