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| N.º art.: 6368-3290149 N.º fabricante: IPP120P04P4L03AKSA2 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0029 ohm Gama de Producto OptiMOS-P2 Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 120 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 136 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, IPP120P04P4L03AKSA2, 3290149, 329-0149 |
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