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MOSFET Infineon IMW65R048M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 39 A, TO-247 de 3 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2320389
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IMW65R048M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Serie = CoolSiC
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,064 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 5.7V
Material del transistor = Silicio
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Serie:
CoolSiC
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,064 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5.7V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de potencia, 2320389, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IMW65R048M1HXKSA1
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Accesorios
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Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS 10 A PG-DSO-8 8 pines
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
a partir de € 0,95*
Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A PG-DSO-16 16 pines
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
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