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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-IMW65R048M1HXKSA1
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IMW65R048M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 24A
Resistencia en estado de transferencia: 63mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 125W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: SiC;CoolSiC™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -5...23V
Corriente del drenaje en impulso: 100A
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Precios: Almacén 6Q9VB
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Derechos de devolución para este artículo: Almacén 6Q9VB
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
Tipo
Imagen
Artículo
Fabricante/N.º
Precio
Accesorios
Driver de puerta MOSFET 2ED2182S06FXUMA1, 2,5 A DSO 8 pines
Infineon
2ED2182S06FXUMA1
a partir de € 0,69*
Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS 10 A PG-DSO-8 8 pines
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
a partir de € 0,818*
Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A PG-DSO-16 16 pines
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
a partir de € 3,222*
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.