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MOSFET Infineon IPB039N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 160 A, PG-TSDSON-8


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2587067
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPB039N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 160 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V
Tipo de Encapsulado = PG-TSDSON-8
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
160 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
PG-TSDSON-8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 2587067, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPB039N10N3GATMA1
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Accesorios
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INFINEON IR2110SPBF CI, CONTR MOSFET, LADO ALTO/BAJO, SOIC16
Infineon
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