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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
N.º art.:
     6Q9VB-IPB039N10N3GATMA1
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPB039N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: SMD
Carcasa: PG-TO263-7
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 160A
Resistencia en estado de transferencia: 3,9mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 214W
Polarización: unipolar
Precio unitario: No
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: OptiMOS™ 3
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
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Accesorios
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Accesorios
INFINEON IR2110SPBF CI, CONTR MOSFET, LADO ALTO/BAJO, SOIC16
Infineon
IR2110SPBF
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