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VISHAY SI2337DS-T1-E3 MOSFET, P CH, 80V, 2.2A, TO-236


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-2101436
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI2337DS-T1-E3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.216 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 2.2 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-236 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80 V Disipación de Potencia 760 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SI2337DS-T1-E3, 2101436, 210-1436
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