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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -2,2A; Idm: -7A; 1,6W; SOT23


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -2,2A; Idm: -7A; 1,6W; SOT23
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -2,2A; Idm: -7A; 1,6W; SOT23
N.º art.:
     6Q9VB-SI2337DS-T1-E3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI2337DS-T1-E3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Tensión drenaje-fuente: -80V
Corriente del drenaje: -2,2A
Resistencia en estado de transferencia: 0,27Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 1,6W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 17nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -7A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia
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