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ONSEMI BSS123 Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en


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N.º art.:
     6368-2251951
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     BSS123
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.2 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 170 mA Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 360 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor de efecto de campo, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, BSS123, 2251951, 225-1951
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