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MOSFET, N-Channel, 100V, 170mA, SOT-23


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N.º art.:
     9RQRV-30230810
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     BSS123
EAN/GTIN:
     Sin datos
Hoja de datos del artículo
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
MOSFET, Type=BSS123, Continuous Drain Current (Id)=170 mA, Drain-Source Voltage (Vds)=100 V, Fall Time=5 ns, Gate-Source Voltage=20 V, ON Resistance (Rds(on))=10 Ω, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=360 mW, Reflow Temperature Max.=300 °C, Rise Time=18 ns, Turn-OFF Delay Time=31 ns, Turn-ON Delay Time=3.4 ns, Configuration=Single, MSL=Level-1, Mounting Type=SMD, Package Type=SOT-23, Packaging=Tape & Reel, Transistor Polarity=N-Channel
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541210000
Country of origin:
CN
Customs tariff number:
8541210000
Height:
2 mm
Net weight:
0,010 g
Depth:
8 mm
Gross weight:
0,01 g
Width:
5 mm
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