N.º art.: 6368-2471942
N.º fabricante: SIHP12N50E-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.33 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 10.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220AB Tensión Drenador-Fuente (Vds) 500 V Disipación de Potencia 114 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
Transistores ,
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mosfet de potencia ,
Discretos ,
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Semiconductores ,
Simple ,
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VISHAY ,
SIHP12N50E-GE3 ,
2471942 ,
247-1942
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