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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6,6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6Q9VB-SIHP12N50E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHP12N50E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: THT
Carcasa: TO220AB
Tensión drenaje-fuente: 500V
Corriente del drenaje: 6,6A
Resistencia en estado de transferencia: 0,38Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 114W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 50nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 121A
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