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VISHAY SIRA60DP-T1-GE3 MOSFET CANAL N, 30V, 100A, POWERPAK SO


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N.º art.:
     6368-2663708
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIRA60DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 780 µohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 100 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 57 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SIRA60DP-T1-GE3, 2663708, 266-3708
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