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MOSFET Vishay SIRA90DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1349165
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIRA90DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     5059040660885
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK SO-8
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1,15 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2V
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.8V
Disipación de Potencia Máxima:
104 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
+20 V
Longitud:
6.25mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 1349165, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIRA90DPT1RE3
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