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ROHM RUQ050N02TR MOSFET, CANAL N, 20V, 5A, TSMT


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-2706690
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RUQ050N02TR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.022 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. - Encapsulado del Transistor TSMT Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 1.25 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ROHM, RUQ050N02TR, 2706690, 270-6690
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