N.º art.: 6368-2932897
N.º fabricante: SIDR622DP-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0147 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 56.7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 150 V Disipación de Potencia 125 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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Discretos ,
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SIDR622DP-T1-GE3 ,
2932897 ,
293-2897
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