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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 56,7A; Idm: 100A


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SIDR622DP-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIDR622DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Tensión drenaje-fuente: 150V
Corriente del drenaje: 56,7A
Resistencia en estado de transferencia: 20,4mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 125W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 41nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 100A
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