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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0,17A; Idm: 0,8A; 0,4W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-DMN63D8LDW-7
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN63D8LDW-7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: SOT363
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 0,17A
Resistencia en estado de transferencia: 4,5Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET x2
Poder disipado: 0,4W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Propiedades de elementos semiconductores: ESD protected gate
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 0,8A
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