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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1284A; 198W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-PSMN1R0-40YLDX
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     PSMN1R0-40YLDX
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: PowerSO8;SOT1023;LFPAK56E
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 198A
Resistencia en estado de transferencia: 1,93mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 198W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Propiedades de elementos semiconductores: logic level
Carga de puerta: 127nC
Clase de canal: enriquecido
Corriente del drenaje en impulso: 1284A
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