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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
N.º art.:
     6Q9VB-SI3433CDV-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI3433CDV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: TSOP6
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -6A
Resistencia en estado de transferencia: 38mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 2,1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 45nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: -20A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia
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