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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13,9A; Idm: -60A; 33W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SI7617DN-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI7617DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® 1212-8
Tensión drenaje-fuente: -30V
Corriente del drenaje: -13,9A
Resistencia en estado de transferencia: 12,3mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 33W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 59nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: -60A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia
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