Transistores de potencia | MERCATEO (Página 34/1.376)

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MOSFET IXYS IXTN62N50L, VDSS 500 V, ID 62 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N, IXYS serie Linear. MOSFET de potencia de canal N diseñados específicamente para un funcionamiento lineal. Estos dispositivos ofrecen una mayor zona de funcionamiento ...

IXYS

IXTN62N50L

a partir de € 54,035*
por unidad

MOSFET Nexperia PSMN4R4-80PS,127, VDSS 80 V, ID 100 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

Nexperia

PSMN4R4-80PS

a partir de € 4,36*
por 2 unidades

MOSFET IXYS IXFK120N30P3, VDSS 300 V, ID 120 A, TO-264 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™. Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

IXYS

IXFK120N30P3

a partir de € 14,573*
por unidad

MOSFET IXYS IXFN24N100, VDSS 1000 V, ID 24 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™

IXYS

IXFN24N100

a partir de € 34,789*
por unidad

MOSFET Nexperia PHP20N06T,127, VDSS 55 V, ID 20 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N, 40V a 55V

Nexperia

PHP20N06T,127

a partir de € 3,34*
por 5 unidades

MOSFET Nexperia PSMN4R5-40PS,127, VDSS 40 V, ID 100 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N, 40V a 55V

Nexperia

PSMN4R5-40PS

€ 1,964*
por 4 unidades

MOSFET IXYS IXFK27N80Q, VDSS 800 V, ID 27 A, TO-264AA de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas)

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Q. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

IXYS

IXFK27N80Q

a partir de € 11,494*
por unidad

MOSFET IXYS IXFN36N100, VDSS 1000 V, ID 36 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™

IXYS

IXFN36N100

a partir de € 57,896*
por unidad

MOSFET onsemi BS170, VDSS 60 V, ID 500 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...

onsemi

BS170

a partir de € 0,86*
por 10 unidades

MOSFET Nexperia PSMN5R5-60YS,115, VDSS 60 V, ID 100 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

Nexperia

PSMN5R5-60YS,115

a partir de € 6,75*
por 5 unidades

MOSFET IXYS IXFK48N50, VDSS 500 V, ID 48 A, TO-264AA de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™

IXYS

IXFK48N50

a partir de € 21,98*
por unidad

MOSFET IXYS IXFN82N60P, VDSS 600 V, ID 72 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

IXYS

IXFN82N60P

a partir de € 36,076*
por unidad

MOSFET onsemi ECH8310-TL-H, VDSS 30 V, ID 9 A, ECH de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor

onsemi

ECH8310-TL-H

a partir de € 6,18*
por 10 unidades

MOSFET onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia avanzado, Fairchild Semiconductor. Tecnología resistente a avalanchas Tecnología de óxido de compuerta resistente Capacitancia de entrada inferior Carga de puerta mejorada

onsemi

2N7000

a partir de € 4,00*
por 20 unidades

MOSFET IXYS IXFN140N30P, VDSS 300 V, ID 115 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

IXYS

IXFN140N30P

a partir de € 22,77*
por unidad

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