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  MOSFET  (25.384 ofertas entre 5.870.227 artículos)

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MOSFET ROHM RX3R10BBHC16, VDSS 150 V, ID 105 A, TO-220AB de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 105 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = TO-220AB Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = ...
ROHM Semiconductor
RX3R10BBHC16
a partir de € 3,94*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF100P219XKMA1, VDSS 100 V, ID 304 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Este MOSFET IRFET resistente de Infineon es ideal para alta frecuencia de conmutación y tiene una resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámica mejorada.No contiene halógenos conforme a IEC6124...
Infineon
IRF100P219XKMA1
a partir de € 117,575*
por 25 unidades
 
 envase
VISHAY IRFP440PBF MOSFET, N-CH, 500V, 8.8A, TO-247 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.85 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
Vishay
IRFP440PBF
a partir de € 1,38*
por unidad
 
 unidad
ROHM RS1E350BNTB MOSFET, CANAL N, 30V, 35A, HSOP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0012 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
ROHM Semiconductor
RS1E350BNTB
a partir de € 0,645*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPZA60R180P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 18 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 18 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = CoolMOS™ P7 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistenci...
Infineon
IPZA60R180P7XKSA1
a partir de € 2,671*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; TO220F (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220F Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 0,85Ω Tipo de transistor: N-MOSFE...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF9N50
a partir de € 0,58*
por unidad
 
 unidad
ROHM RZF020P01TL MOSFET, CANAL P, -12V, -2A, SOT-323T (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.075 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
ROHM Semiconductor
RZF020P01TL
a partir de € 0,121*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IQE013N04LM6SCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHSON de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 205 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = WHSON Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Ca...
Infineon
SP005559052
a partir de € 1,996*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 370W; TO247 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 0,17Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5017BVRG
a partir de € 12,67*
por unidad
 
 unidad
ROHM RS1L151ATTB1 MOSFET, CANAL P, 60V, 56A, HSOP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0089 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
ROHM Semiconductor
RS1L151ATTB1
a partir de € 6,24*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IQE030N06NM5CGATMA1, VDSS 60 V, ID 137 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 137 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...
Infineon
IQE030N06NM5CGATMA1
a partir de € 1,13*
por unidad
 
 unidad
ROHM SCT2080KEGC11 MOSFET, N-CH, 1.2KV, 40A, TO-247N (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.08 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Encapsu...
ROHM Semiconductor
SCT2080KEGC11
a partir de € 14,44*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO268 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 52A Resistencia en estado de transferencia: 0,12Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 960W ...
IXYS
IXFT52N50P2
a partir de € 7,17*
por unidad
 
 unidad
ROHM RS3P070ATTB1 MOSFET, P-CH, 100V, 7A, SOP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.028 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P En...
ROHM Semiconductor
RS3P070ATTB1
a partir de € 1,12*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IQE006NE2LM5ATMA1, VDSS 25 V, ID 298 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 298 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...
Infineon
IQE006NE2LM5ATMA1
a partir de € 1,594*
por unidad
 
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