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  MOSFET  (25.384 ofertas entre 5.870.222 artículos)

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MOSFET ROHM SCT4045DRC15, VDSS 750 V, ID 34 A, Tubo (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 34 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 750 V Tipo de Encapsulado = Tubo Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
ROHM Semiconductor
SCT4045DRC15
a partir de € 6,599*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF250P224, VDSS 250 V, ID 128 A, TO-247AC (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 128 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 250 V Tipo de Encapsulado = TO-247AC Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IRF250P224
a partir de € 6,485*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 67A; Idm: 268A; 694W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 67A Resistencia en estado de transferencia: 65mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M65LFLLG
a partir de € 26,47*
por unidad
 
 unidad
ROHM RSS070N05HZGTB MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 45V, 7A, SOP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.018 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
ROHM Semiconductor
RSS070N05HZGTB
a partir de € 1,004*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IQE050N08NM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 101 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 101 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...
Infineon
IQE050N08NM5ATMA1
a partir de € 1,792*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 80A Resistencia en estado de transferencia: 65mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1,0...
IXYS
IXFX80N50P
a partir de € 15,70*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SCT4062KRC15, VDSS 1.200 V, ID 26 A, TO-247-4L (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4L Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
ROHM Semiconductor
SCT4062KRC15
a partir de € 6,77*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF1010ESTRLPBF, VDSS 60 V, ID 84 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 84 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drena...
Infineon
IRF1010ESTRLPBF
a partir de € 0,905*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 45W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 3A Resistencia en estado de transferencia: 0,79Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
ST Microelectronics
STD8NM50N
a partir de € 0,39*
por unidad
 
 unidad
ROHM RSS100N03HZGTB MOSFET, CANAL N, 30V, 10A, SOP (2 ofertas) 
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 10 A Temperatura ...
ROHM Semiconductor
RSS100N03HZGTB
a partir de € 0,46*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO3P; 400ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 400ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 44A Resistencia en estado de transferencia: 0,14Ω Tipo de transistor:...
IXYS
IXTQ44N50P
a partir de € 6,87*
por unidad
 
 unidad
ROHM SH8J62TB1 MOSFET DOBLE CANAL P 30V, 4.5A, 150°C (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 4.5 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente V...
ROHM Semiconductor
SH8J62TB1
a partir de € 0,39*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF2804STRLPBF, VDSS 40 V, ID 270 A, TO-262 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 270 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TO-262 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRF2804STRLPBF
a partir de € 2,238*
por unidad
 
 unidades
ROHM RTF016N05FRATL MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 45V, TUMT (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.14 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
ROHM Semiconductor
RTF016N05FRATL
a partir de € 0,173*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IQE065N10NM5ATMA1, VDSS 100 V, ID 85 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 85 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...
Infineon
IQE065N10NM5ATMA1
a partir de € 1,862*
por unidad
 
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