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  MOSFET  (25.082 ofertas entre 5.754.395 artículos)

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TOSHIBA TK10V60W,LVQ(S MOSFET, CANAL N, 600V, 9.7A, DFN (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.327 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje...
Toshiba
TK10V60W,LVQ(S
a partir de € 1,39*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba TK099V65Z,LQ(S, VDSS 650 V, ID 30 A, DFN8x8 de 5 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = TK099V65Z Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima D...
Toshiba
TK099V65Z,LQ(S
a partir de € 2,373*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFI3205PBF, VDSS 55 V, ID 64 A, TO-220 Full-Pak de 3 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 64 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 55 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Modo de Canal = ...
Infineon
IRFI3205PBF
€ 0,68*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 0,5µs Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 18A Resistencia en estado de transferencia: 0,42Ω Tipo de transistor:...
IXYS
IXTQ18N60P
a partir de € 2,98*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK110A65Z,S4X(S MOSFET, CANAL N, 650V, 24A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.092 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encap...
Toshiba
TK110A65Z,S4X(S
a partir de € 1,94*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20,2A; 151W; PG-TO220-3 (2 ofertas) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 20,2A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Infineon
IPP60R190C6XKSA1
a partir de € 1,38*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK100A08N1,S4X(S MOSFET, CANAL N, 80V, 100A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0026 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK100A08N1,S4X(S
a partir de € 1,52*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK110N65Z,S1F(S MOSFET, CANAL N, 650V, 24A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.092 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
TK110N65Z,S1F(S
a partir de € 2,36*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK100E06N1,S1X(S MOSFET, CANAL N, 60V, 263A, TO-220 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0019 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK100E06N1,S1X(S
a partir de € 1,02*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFI4020H-117PXKMA1, VDSS 200 V, TO-220 (1 oferta) 
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IRFI4020H-117PXKMA1
€ 1,06*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TK12A60D(STA4,Q,M) MOSFET, CANAL N, 600V, 12A, SC-67 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.45 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK12A60D(STA4,Q,M)
a partir de € 1,11*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFR120ZTRPBF, VDSS 100 V, ID 8,7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
La serie HEXFET® Power MOSFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adiciona...
Infineon
IRFR120ZTRPBF
€ 0,18*
por unidad
 
 unidades
Infineon IPI60R190C6 transistore 600 V (1 oferta)
Infineon
IPI60R190C6XKSA1
a partir de € 1,95*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 12A Resistencia en estado de transferencia: 0,25Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
IPP60R250CPXKSA1
a partir de € 1,65*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK12A80W,S4X(S MOSFET, CANAL N, 800V, 11.5A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.38 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK12A80W,S4X(S
a partir de € 1,56*
por unidad
 
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