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  MOSFET  (25.180 ofertas entre 5.804.315 artículos)

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TOSHIBA TK20A25D,S5X(M MOSFET, CANAL N, 250V, 20A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.073 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
TK20A25D,S5X(M
a partir de € 1,004*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFR5410TRLPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 13 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Dren...
Infineon
IRFR5410TRLPBF
a partir de € 0,929*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 16A Resistencia en estado de transferencia: 0,12Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
Infineon
IPA60R120P7
a partir de € 2,88*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba TK10A60W5,S5VX(M, VDSS 600 V, ID 9,7 A, TO-220SIS de 3 pines, config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N, serie TK1x, Toshiba
Toshiba
TK10A60W5,S5VX(M
a partir de € 0,659*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 18A Resistencia en estado de transferencia: 0,4Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 360W...
IXYS
IXFH18N60P
a partir de € 3,38*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2,3A; 21,6W; PG-VSON-4 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-VSON-4 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 2,3A Resistencia en estado de transferencia: 2,1Ω Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPL60R2K1C6SATMA1
a partir de € 0,34*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK10A80W,S4X(S MOSFET, CANAL N, 800V, 9.5A, TO-220SIS (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.46 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK10A80W,S4X(S
a partir de € 1,40*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFR220NTRLPBF, VDSS 200 V, ID 5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
El Infineon 200V MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado D-Pak.Estructura de celda plana para SOA amplio Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de dis...
Infineon
IRFR220NTRLPBF
a partir de € 0,449*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 127ns Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 18A Resistencia en estado de transferencia: 0,23Ω Tipo de transistor...
IXYS
IXFA18N60X
a partir de € 4,87*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK20N60W5,S1VF(S MOSFET, CANAL N, 600V, 20A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.15 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK20N60W5,S1VF(S
a partir de € 1,59*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFR5505TRLPBF, VDSS 55 V, ID 18 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 18 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 55 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drena...
Infineon
IRFR5505TRLPBF
a partir de € 0,657*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 16A Resistencia en estado de transferencia: 0,12Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
IPP60R120P7
a partir de € 1,79*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK10E80W,S1X(S MOSFET, CANAL N, 800V, 9.5A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.46 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK10E80W,S1X(S
a partir de € 1,45*
por unidad
 
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Infineon IRFS7430 transistore 40 V (2 ofertas)
Infineon
IRFS7430TRLPBF
a partir de € 1,36*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK20V60W5,LVQ(S MOSFET, CANAL N, 600V, 20A, DFN (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.156 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje...
Toshiba
TK20V60W5,LVQ(S
a partir de € 1,42*
por unidad
 
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