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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.820.441 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 49A Resistencia en estado de transferencia: 41mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT77N60BC6
a partir de € 12,73*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK10A80W,S4X(S MOSFET, CANAL N, 800V, 9.5A, TO-220SIS (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.46 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK10A80W,S4X(S
a partir de € 1,35*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC036N04NM5ATMA1, VDSS 40 V, ID 98 A, TDSON-8 FL de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 98 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TDSON-8 FL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número...
Infineon
ISC036N04NM5ATMA1
a partir de € 0,713*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TK290A65Y,S4X(S MOSFET, CANAL N, 650V, 11.5A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.23 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK290A65Y,S4X(S
a partir de € 1,014*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISP25DP06LMXTSA1, VDSS 60 V, ID 1,9 A, SOT-223 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 1,9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-223 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Número d...
Infineon
ISP25DP06LMXTSA1
a partir de € 0,339*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 44A Resistencia en estado de transferencia: 90mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT66M60L
a partir de € 18,31*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK10E80W,S1X(S MOSFET, CANAL N, 800V, 9.5A, TO-220 (1 oferta) 
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.46 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje d...
Toshiba
TK10E80W,S1X(S
a partir de € 1,55*
por unidad
 
 unidad
Infineon ISP25DP06LMS transistore 60 V (2 ofertas)
Infineon
ISP25DP06LMSATMA1
a partir de € 0,208*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 60mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPP60R060P7
a partir de € 5,31*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK290P65Y,RQ(S MOSFET, CANAL N, 650V, 11.5A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.23 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Cor...
Toshiba
TK290P65Y,RQ(S
a partir de € 0,789*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLR2703TRPBF, VDSS 30 V, ID 23 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 23 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drena...
Infineon
IRLR2703TRPBF
a partir de € 0,558*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TK10P50W,RQ(S MOSFET, CANAL N, 500V, 9.7A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.327 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Co...
Toshiba
TK10P50W,RQ(S
a partir de € 0,653*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC045N03L5SATMA1, VDSS 30 V, ID 63 A, TDSON de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 63 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = TDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Can...
Infineon
ISC045N03L5SATMA1
€ 0,171*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 310W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 0,125Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 31...
IXYS
IXKH30N60C5
a partir de € 3,21*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK2P90E,RQ(S MOSFET, CANAL N, 900V, 2A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 4.7 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK2P90E,RQ(S
a partir de € 0,499*
por unidad
 
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