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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.821.530 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37,9A; 278W; PG-TO263-3 (2 ofertas) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO263-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 37,9A Resistencia en estado de transferencia: 99mΩ Tipo de transistor: N-MOSFE...
Infineon
IPB60R099C6ATMA1
a partir de € 3,03*
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 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 96A; 325W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 24A Resistencia en estado de transferencia: 0,25Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6025BFLLG
a partir de € 14,04*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK16V60W,LVQ(S MOSFET, CANAL N, 600V, 15.8A, DFN (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.16 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje ...
Toshiba
TK16V60W,LVQ(S
a partir de € 1,33*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC022N10NM6ATMA1, VDSS 100 V, ID 230 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 230 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 ...
Infineon
ISC022N10NM6ATMA1
a partir de € 3,129*
por unidad
 
 unidad
TOREX XP261N70023R-G MOSFET, CANAL N, 0.15A, 60V, SOT-323-3A (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 3 ohm Gama de Producto XP261N7002xx-G Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pine...
Torex Semiconductor
XP261N70023R-G
a partir de € 0,0317*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 140ns Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 24A Resistencia en estado de transferencia: 0,175Ω Tipo de transis...
IXYS
IXFH24N60X
a partir de € 4,01*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK17A65W,S5X(M MOSFET, CANAL N, 650V, 17.3A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.17 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK17A65W,S5X(M
a partir de € 1,24*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™; 650ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS247™ Tiempo de disponibilidad: 650ns Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ Tipo de trans...
IXYS
IXKR40N60C
a partir de € 16,81*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLS4030TRL7PP, VDSS 100 V, ID 190 A, D2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
El Infineon 100V de MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado D2-Pak de 7 contactos.Optimizado para accionamiento de nivel lógico RDS(ON) muy baja a 4,5 V VGS R*Q superior a 4...
Infineon
IRLS4030TRL7PP
a partir de € 3,228*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24mA; 500mW; SOT23 (1 oferta) 
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 24mA Resistencia en estado de transferencia: 800Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
Taiwan Semiconductor
TSM126CX RFG
a partir de € 0,118*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TK17A80W,S4X(S MOSFET, CANAL N, 800V, 17A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.25 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK17A80W,S4X(S
a partir de € 1,67*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC028N04NM5ATMA1, VDSS 40 V, ID 121 A., TDSON-8 FL de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 121 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TDSON-8 FL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Núme...
Infineon
ISC028N04NM5ATMA1
a partir de € 0,983*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TK39N60X,S1F(S MOSFET, CANAL N, 600V, 38.8A, TO-247 (2 ofertas) 
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.055 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 38....
Toshiba
TK39N60X,S1F(S
a partir de € 3,29*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA SSM3K09FU,LF(T MOSFET, N-CH, 30V, 0.4A, SOT-323 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.5 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
SSM3K09FU,LF(T
a partir de € 0,3365*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon ISC026N03L5SATMA1 (2 ofertas) 
MOSFET
Infineon
ISC026N03L5SATMA1
a partir de € 0,297*
por unidad
 
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